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幾年,，三菱電機以改善生產(chǎn)效率,、提供高品質(zhì)產(chǎn)品以及滿足環(huán)境發(fā)展需要為目標，在自動化領(lǐng)域不斷進行研發(fā)生產(chǎn),，以精雕細琢的產(chǎn)品匹配中國工業(yè)自動化轉(zhuǎn)型升級的發(fā)展需求。

6月26日，PCIM 亞洲 2018展會在上海世博展覽館隆重舉行,。作為全球500強企業(yè)，同時也是現(xiàn)代功率半導體器件的開拓者,，三菱電機攜19款功率模塊集體亮相,。其中，7款備受矚目的新品在發(fā)布會上一一揭秘,，吸睛無數(shù),。

三菱電機半導體首席技術(shù)官Dr. GourabMajumdar、大中國區(qū)三菱電機半導體總經(jīng)理楠·真一,、大中國區(qū)三菱電機半導體技術(shù)總監(jiān)宋高升,、大中國區(qū)三菱電機半導體市場總監(jiān)錢宇峰、三菱電機捷敏功率半導體（合肥）有限公司技術(shù)服務中心總監(jiān)商明,、大中國區(qū)三菱電機半導體公關(guān)宣傳主管閔麗豪悉數(shù)出席此次新品發(fā)布會,。

自從在1996年推出DIPIPMTM后，截止到目前,，三菱電機累計出貨量已超過5億顆,，一個月產(chǎn)能達到720萬片，接下來,，三菱電機還將進一步擴充產(chǎn)能,。為了進一步鞏固三菱電機功率半導體在變頻家電市場的*先地位，三菱電機將依托位于合肥的功率半導體工廠和聯(lián)合實驗室,，為中國客戶提供更好,、更快的支持；而在鐵道牽引,、電動汽車和工業(yè)新能源應用領(lǐng)域,，三菱電機將持續(xù)性地聯(lián)合國內(nèi)知名大學和專業(yè)設(shè)計公司，開發(fā)本地化的基于新型功率半導體的整體解決方案,。

三菱電機功率器件在變頻家電,、工業(yè)、新能源,、軌道牽引,、電動汽車、五大應用領(lǐng)域不斷創(chuàng)新,，新品迭出,。

在變頻家電領(lǐng)域，面向變頻冰箱和風機驅(qū)動的SLIMDIP-S以及面向變頻空調(diào)和洗衣機的SLIMDIP-L智能功率模塊、表面貼裝型IPM有助于推動變頻家電實現(xiàn)小型化,。

在工業(yè)應用方面,，三菱電機第七代IGBT和第七代IPM模塊，首次采用SLC封裝技術(shù),，使得模塊的應用壽命大幅延長,。在新能源發(fā)電特別是風力發(fā)電領(lǐng)域，今年推出基于LV100封裝的新型IGBT模塊,，有利于提升風電變流器的功率密度和性能價格比,。

在軌道牽引應用領(lǐng)域，X系列HVIGBT安全工作區(qū)域度大,、電流密度增加,、抗?jié)穸若敯粜栽鰪姡兄谶M一步提高牽引變流器現(xiàn)場運行的可靠性,。而在電動汽車領(lǐng)域,，J1系列Pin-fin模塊具有封裝小、內(nèi)部雜散電感低的特性,。

在新品中,，首次展出的表面貼裝型IPM尤其亮眼，該新品適用于家用變頻空調(diào)風扇,、變頻冰箱,、變頻洗碗機等電機驅(qū)動系統(tǒng)。三菱電機計劃于9月1日開始發(fā)售此產(chǎn)品,。

據(jù)悉,，這款產(chǎn)品將構(gòu)成三相逆變橋的RC-IGBT（反向?qū)↖GBT）、高電壓控制用IC,、低電壓控制用IC,，以及自舉二極管和自舉電阻等器件集成在一個封裝中。該產(chǎn)品采用外型尺寸為15.2mm×27.4mm×3.3mm的表面封裝型,，可以通過回流焊接裝置安裝到印刷電路板上去,。

表面貼裝型IPM具有三大特性：一，通過表面貼裝,，使系統(tǒng)安裝變得更容易,；二，該產(chǎn)品通過內(nèi)置控制IC以及*佳的引腳布局,，在實現(xiàn)系統(tǒng)的小型化并使基板布線簡化方面具有積極意義,；三，而通過內(nèi)置保護功能,，可以幫助提高系統(tǒng)的設(shè)計自由度，這是第三大特性。

宋高升表示,，2018年,，三菱電機將在以上五大領(lǐng)域，強化新產(chǎn)品的推廣和應用力度,。在變頻家電領(lǐng)域,，三菱電機將在分體式變頻空調(diào)和變頻洗衣機中擴大和強化SLIMDIP-L的應用，在空調(diào)風扇和變頻冰箱中逐步擴大SLIMDIP-S的應用,，在更小功率的變頻家電應用中逐步推廣使用表面封裝型IPM,。在中低壓變頻器、光伏逆變器,、電動大巴,、儲能逆變器、SVG,、風力發(fā)電等應用中,，三菱電機將強化第7代IGBT模塊的市場拓展；而在電動乘用轎車領(lǐng)域,，三菱電機將為客戶提供電動汽車專用模塊和整體解決方案,；在軌道牽引領(lǐng)域，將*新的X系列HVIGBT的推廣到高鐵,、動車,、地鐵等應用領(lǐng)域。

六十年以來,，三菱電機之所以能夠一直保持行業(yè)*先地位在于持續(xù)性和創(chuàng)新性的研究與開發(fā),。在功率半導體*新技術(shù)發(fā)展方面，IGBT芯片技術(shù)一直在進步,。

SiC作為下一代功率半導體的核心技術(shù)方向,，與傳統(tǒng)Si-IGBT模塊相比， SiC功率模塊*主要優(yōu)勢是開關(guān)損耗大幅減小,。對于特定逆變器應用,，這種優(yōu)勢可以減小逆變器尺寸，提高逆變器效率及增加開關(guān)頻率,。目前,，基于SiC功率器件逆變設(shè)備的應用領(lǐng)域正在不斷擴大。但受制于成本因素,，目前SiC功率器件市場滲透率很低,，隨著技術(shù)進步，碳化硅成本將快速下降,，未來將是功率半導體市場主流產(chǎn)品,。

三菱電機從2013年開始推出**代碳化硅功率模塊,，事實上，早在20多年前,，三菱電機就開始了針對SiC技術(shù)的開發(fā),；2015年開始，SiC功率器件開始進入眾多全新應用領(lǐng)域,，同年,，**款基于全SiC的功率模塊，并由三菱電機開發(fā)的機車牽引系統(tǒng)在日本新干線安裝使用,。其SiC功率模塊產(chǎn)品線涵蓋額定電流15A~1200A及額定電壓600V~3300V,，目前均可提供樣品。

由于碳化硅需求量急速增長,，2017年,，三菱電機投資建造6英寸晶圓生產(chǎn)線，配合新技術(shù)來縮少芯片尺寸,，目前該產(chǎn)線的建設(shè)正按計劃推進中,。

電力電子行業(yè)對功率器件的要求更多地體現(xiàn)在提升效率與減小尺寸功率密度方面，因此新型SiC MOSFET功率模塊將獲得越來越多的應用,。為了滿足功率器件市場對噪聲低,、效率高、尺寸小和重量輕的要求,，三菱電機一直致力于研究和開發(fā)高技術(shù)產(chǎn)品,。正在加緊研發(fā)新一代溝槽柵SiC MOSFET芯片技術(shù)，該技術(shù)將進一步改善短路耐量和導通電阻的關(guān)系,，并計劃在2020年實現(xiàn)新型SiC MOSFET模塊的商業(yè)化,。

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