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碳化硅肖特基二極管

TO-247雙芯  650V
T0-3P內(nèi)絕緣 雙芯  650V
T0-247-2L單芯  650V
T0-247雙芯  650V
T0-247單芯  650V
T0-220單芯 1200V
T0-252單芯 1200V
T0-263單芯 1200V
T0-220單芯 1200V
T0-247-2L單芯  1200V
T0-247雙芯  1200V

新一代SiC肖特基二極管融合了普通SiC肖特基二極管和雙極pn結(jié)構(gòu)，從而具有非常高的浪涌電流承受能力和穩(wěn)定的過壓特性,。

 2.為了設計效率和外形尺寸*優(yōu)的CCM PFC，升壓二極管還必須具備以下一些特性：較短的反向恢復和正向恢復時間,；*小的儲存電荷Q,；低的漏電流和*低的開關(guān)損耗。過壓和浪涌電流能力非常重要,，它們能夠用來處理PFC中由啟動和交流回落引起的浪涌和過電流,。這些特性只有用碳化硅肖特基二極管(SiC肖特基二極管)才能實現(xiàn)。 

3.由于SiC肖特基二極管中缺少正向和反向恢復電荷,，因此可以用更小的升壓MOSFET,。這樣做除了成本得到降低外，器件溫度也會降低,，從而使SMPS具有更高的可靠性,。 
 
4.由于SiC肖特基二極管的開關(guān)行為獨立于正向電流(Iload)、開關(guān)速度(di/dt)和溫度,，因此這種二極管在設計中很容易使用,。在設計中采用SiC肖特基二極管能夠?qū)崿F(xiàn)*大的開關(guān)工作頻率(*高可達1MHz)，從而可以使用更小體積的無源器件,。    *低的開關(guān)損耗和低的Vf能使用更小的散熱器或風扇,。另外，由于具有正的溫度系數(shù),，SiC肖特基二極管能夠非常方便地并行放置,。   

5.改進的浪涌電流能力  提供改進的浪涌電流功能，允許針對應用中的平均電流條件進行設計,，也就是說,，大多數(shù)的啟動和AC回落引起的浪涌和過流能很好地獲得處理。在正常工作狀態(tài),，的行為與具有零反向恢復電荷的普通肖特基二極管沒什么兩樣,，在大電流狀態(tài)其正向特性如同雙極pn二極管一樣，能夠顯著減少功率損耗,。    由于改進的浪涌電流能力使得在指定應用中采用更低標稱電流的二極管進行設計成為可能。到目前為止,，二極管的浪涌電流額定值仍是重要的設計考慮因素,。  對實際應用(6A IFX**代SiC肖特基二極管、PFC,、寬范圍)進行的測試證實了這些改進：
6A**代SiC肖特基二極管足以用來處理啟動時的浪涌電流,，結(jié)溫會升高到50℃。這種情況非常接近由于肖特基特性而引起的熱失控,，在通常情況下可以使用更小體積的二極管,。


肖特基二極管主要優(yōu)點：
1、正向壓降低，約只有一般硅二極管的一半,。在下向?qū)〞r由于正向電壓低消耗的二極管上的功耗也小,。
2、反向恢復時間小,，比超快速恢復管還要小得多,。在高頻電路中除了正向?qū)ü耐膺€有較大的功耗就是開關(guān)功耗，反向恢復時間越小開關(guān)功耗也就越小,。

普通硅二極管的耐壓可以做得較高,，但是它的恢復速度低，只能用在低頻的整流上,，如果是高頻的就會因為無法快速恢復而發(fā)生反向漏電,，*后導致管子嚴重發(fā)熱燒毀。

肖特基二極管的耐壓能常較低,，但是它的恢復速度快,，可以用在高頻場合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用,，盡管如此,，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的。

肖特基二極管與普通二極管的區(qū)別：

硅管的初始導通壓降是0.5V左右,，正常導通壓降是0.7V左右,，在接近極限電流情況下導通壓降是1V左右；

鍺管的初始導通壓降是0.2V左右,，正常導通壓降是0.3V左右,，在接近極限電流情況下導通壓降是0.4V左右，

肖特基二極管的初始導通壓降是0.4V左右,，正常導通壓降是0.5V左右,，在接近極限電流情況下導通壓降是0.8V左右。

兩種二極管都是單向?qū)щ?，可用于整流場合,。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復速度低,，只能用在低頻的整流上,，如果是高頻的就會因為無法快速恢復而發(fā)生反向漏電，*后導致管子嚴重發(fā)熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低,，但是它的恢復速度快,，可以用在高頻場合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用,，盡管如此,，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的,。

快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施,，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),，有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),，反向耐壓多在1200V以下,。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數(shù)百納秒或更長,，后者則在100納秒以下,。 肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode),，具有正向壓降低(0.4--0.5V),、反向恢復時間很短(10-40納秒)，而且反向漏電流較大,，耐壓低,，一般低于150V，多用于低電壓場合,。 這兩種管子通常用于開關(guān)電源,。 肖特基二極管和快恢復二極管區(qū)別：前者的恢復時間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復時間大約為幾納秒~! 前者的優(yōu)點還有低功耗,，大電流,，超高速~!電氣特性當然都是二極管阿~!快恢復二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件。


肖特基二極管是利用金屬-半導體接面作為肖特基勢壘,，以產(chǎn)生整流的效果,，和一般二極管中由半導體-半導體接面產(chǎn)生的P-N接面不同。肖特基勢壘的特性使得肖特基二極管的導通電壓降較低,，而且可以提高切換的速度,。

肖特基二極體的導通電壓非常低。一般的二極管在電流流過時,，會產(chǎn)生約0.7-1.7伏特的電壓降,，不過肖特基二極管的電壓降只有0.15-0.45伏特，因此可以提升系統(tǒng)的效率,。

肖特基二極管和一般整流二極管*大的差異在于反向恢復時間,，也就是二極管由流過正向電流的導通狀態(tài)，切換到不導通狀態(tài)所需的時間,。一般整流二極管的反向恢復時間大約是數(shù)百nS，若是高速二極管則會低于一百nS,，肖特基二極管沒有反向恢復時間,，因此小信號的肖特基二極管切換時間約為數(shù)十pS,，特殊的大容量肖特基二極管切換時間也才數(shù)十pS。由于一般整流二極管在反向恢復時間內(nèi)會因反向電流而造成EMI噪聲,。肖特基二極管可以立即切換,，沒有反向恢復時間及反相電流的問題。