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公司基本資料信息
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二氧化碳培養(yǎng)箱可做為恒溫培養(yǎng)箱,加熱是通過遍布箱體氣套層內(nèi)的加熱器直接對內(nèi)箱體進行加熱的,,又叫六面直接加熱,,采用隔熱系統(tǒng)和表面散熱元件使培養(yǎng)箱內(nèi)溫度均衡,。氣套式與水套式相比,具有加熱快,,溫度的恢復(fù)比水套式培養(yǎng)箱迅速的特點,,特別有利于短期培養(yǎng)以及需要箱門頻繁開關(guān)的培養(yǎng)。箱內(nèi)溫度一般設(shè)定在37℃左右,。此外,,氣套式設(shè)計比水套式更簡單化,無需加水、清空和清洗,。
二氧化碳培養(yǎng)箱是細胞,、組織、細菌培養(yǎng)的一種先進儀器,。是開展免疫學(xué),、學(xué)、遺傳工程學(xué)及生物工程所必須的關(guān)鍵設(shè)備,,廣泛應(yīng)用于微生物,、農(nóng)業(yè)科學(xué)、藥物學(xué)的研究和生產(chǎn),。
主要特征:
●二氧化碳培養(yǎng)箱采用國內(nèi)流線型圓弧設(shè)計,,外殼采用鋼板制造,表面靜電噴塑,;內(nèi)膽均為優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制成,,半圓形四角設(shè)計使清潔更方便。
●微電腦溫度控制器,,溫度波動小,,箱內(nèi)裝有紫外線殺菌燈可定期對箱內(nèi)進行紫外線消毒,從而更有防止細胞培養(yǎng)期間污染,。
●二氧化碳培養(yǎng)箱采用門溫控可有效防止箱內(nèi)玻璃門結(jié)露現(xiàn)象,。
●水套式配有微生物過濾器位于進氣口,提供100%過濾氣體,。
●箱內(nèi)已配有二氧化碳培養(yǎng)箱專用減壓閥,。
●二氧化碳培養(yǎng)箱設(shè)有限溫提示系統(tǒng),超過限制溫度即自動中斷,,*保*實驗安全運行,不發(fā)生意外,。
注意事項:
機器應(yīng)安裝在無強電磁場及輻射能量,,周圍溫差變化較小的室內(nèi)。為*保*二氧化碳培養(yǎng)箱控溫精度,,建議在15-25℃的環(huán)境下使用,。
2. 二氧化碳培養(yǎng)箱未注水前不能打開電源開關(guān),否則會損壞加熱元件,。
3. 培養(yǎng)箱運行數(shù)月后,,水箱內(nèi)的水因揮發(fā)可能減少,需及時加水,。
4. 二氧化碳培養(yǎng)箱可做為恒溫培養(yǎng)箱使用,,這時須關(guān)閉CO2控制系統(tǒng)。
5. 箱內(nèi)濕熱環(huán)境易滋生細菌,可在1000ml水中加2ml新潔爾滅液,,定期用*和紫外線消毒箱內(nèi)空氣,,培養(yǎng)物*擦拭入箱內(nèi),減少箱內(nèi)微生物滋生速度,。
6. 顯示溫度超過置定溫度1℃時,,超溫報警指示燈亮,并發(fā)出尖銳報警聲,,這時應(yīng)關(guān)閉電源30分鐘,,若再打開電源(溫控)開關(guān)仍然超溫,則應(yīng)關(guān)閉電源并報維修人員,,并用空調(diào)降低周圍環(huán)境溫度,。
7. 鋼瓶開啟前,一定要擰松減壓閥,,防止輸氣膠管爆破,。鋼瓶壓力低于0.2MPa時應(yīng)更換鋼瓶。
8. 盡量減少打開玻璃門的時間,。在打開二氧化碳培養(yǎng)箱內(nèi)門時,,應(yīng)先關(guān)閉二氧化碳控制開關(guān)。
技術(shù)參數(shù):
型號 |
HH.CP-T
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HH.CP-01
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HH.CP-TW
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HH.CP-01W
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容積 | 80L | 160L | 80L | 160L | ||
電源電壓 | 220V 50HZ | |||||
加熱方式 | 氣套式 | 水套式 | ||||
控溫范圍 | RT+5~50℃ | |||||
溫度分辨率 | 0.1℃ | |||||
溫度波動 | ±0.3℃ | |||||
Co2控制范圍 | 0~20%(配氣式) | |||||
Co2恢復(fù)時間 | ≤濃度值×1.2min | |||||
加濕方式 | 自然蒸發(fā) | |||||
消耗功率 | 450W | 770W | 730W | 1000W | ||
內(nèi)膽尺寸(mm) | 500×400×400 | 500×500×650 | 400×400×500 | 500×500×650 | ||
外型尺寸(mm) | 760×530×560 | 770×630×810 | 710×540×720 | 805×640×870 | ||
載物托架(標配) | 2Pcs | 3Pcs | 2Pcs | 3Pcs |
摻入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體,。雜質(zhì)半導(dǎo)體是半導(dǎo)體器件的基本材料,。在本征半導(dǎo)體中摻入五價元素(如磷),就形成N型(電子型)半導(dǎo)體,;摻入三價元素(如硼,、鎵、銦等)就形成P型(空穴型)半導(dǎo)體,。雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能與其摻雜濃度和溫度有關(guān),,摻雜濃度越大、溫度越高,,其導(dǎo)電能力越強,。