目前,，武漢普賽斯儀表有限公司的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了10pA-6000A、300mV-10KV的電壓電流范圍,，并在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出**優(yōu)勢(shì)。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導(dǎo)體的電源及測(cè)試需求方面，我司在3500V,、1000A以上量程及測(cè)試性能均處于**優(yōu)勢(shì)地位。此外,，在大功率激光器測(cè)試,、PD、APD,、SPAD,、SIPM晶圓測(cè)試及老化電源市場(chǎng)，普賽斯儀表的產(chǎn)品也能夠滿(mǎn)足絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景的需求,。詳詢(xún)18140663476

寬量程半導(dǎo)體參數(shù)分析儀iv+cv曲線(xiàn)儀優(yōu)勢(shì)：

IV,、CV一鍵測(cè)；一體機(jī),，支持遠(yuǎn)程指令控制,；支持三同軸接探針臺(tái)

能夠覆蓋從材料、晶圓,、器件到模塊的測(cè)試

概述：

SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā),、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度,、寬測(cè)量范圍,、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V),、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料研究,、半導(dǎo)體芯片器件設(shè)計(jì)以及先進(jìn)工藝的開(kāi)發(fā),，具有桌越的測(cè)量效率與可靠性。

基于模塊化的體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),，SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以幫助用戶(hù)根據(jù)測(cè)試需要,，靈活選配測(cè)量單元進(jìn)行升*。產(chǎn)品支持Z高1200V電壓,、100A大電流,、1pA小電流分辨率的測(cè)量,，同時(shí)檢測(cè)10kHz至1MHz范圍內(nèi)的多頻AC電容測(cè)量。SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀搭載普賽斯自主開(kāi)發(fā)的專(zhuān)用半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試軟件,支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作,能夠從測(cè)量設(shè)置,、執(zhí)行,、結(jié)果分析到數(shù)據(jù)管理的整個(gè)過(guò)程，實(shí)現(xiàn)**和可重復(fù)的器件表征;也可與高低溫箱,、溫控模塊等搭配使用,，滿(mǎn)足高低溫測(cè)試需求。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

30μV-1200V,1pA-100A寬量程測(cè)試能力,；

測(cè)量精度高,全量程下可達(dá)0.03%精度,；

內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序，直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便,；

自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取,，數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù),；

在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無(wú)需重新布線(xiàn),；
提供靈活的夾具定制方案，兼容性強(qiáng),；

免費(fèi)提供上位機(jī)軟件及SCPI指令集,；

典型應(yīng)用：

納米、柔性等材料特性分析,；

二極管,；

MOSFET、BJT,、晶體管,、IGBT；

第三代半導(dǎo)體材料/器件,；

有機(jī)OFET器件,；

LED、OLED,、光電器件,；

半導(dǎo)體電阻式等傳感器；

EEL,、VCSEL,、PD、APD等激光二極管,；

電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測(cè)量,；

太陽(yáng)能電池；

非易失性存儲(chǔ)設(shè)備,；

失效分析,；