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功率半導體參數(shù)測試儀

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品牌: 普賽斯儀表
大電壓上升沿: 典型值5ms
大電流上升沿: 典型值15us
漏電流測試范圍: 1nA~100mA
單價: 1000.00元/臺
起訂: 1 臺
供貨總量: 10000 臺
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 30 天內(nèi)發(fā)貨
所在地: 湖北 武漢市 江夏區(qū)
有效期至: 長期有效
最后更新: 2024-12-12
瀏覽次數(shù): 234
詢價
公司基本資料信息
 
 
產(chǎn)品詳細說明
PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),,是普賽斯儀表經(jīng)過精心設計與打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng),。該系統(tǒng)不僅具備IV,、CV、跨導等多元化的測試功能,,還擁有高精度,、寬測量范圍,、模塊化設計以及便捷的升*擴展等顯著優(yōu)勢。它能夠全面滿足從基礎功率二極管,、MOSFET,、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC,、GaN等晶圓,、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試需求,,確保測量效率,、一致性與可靠性的**表現(xiàn)。

此外,,普賽斯儀表功率半導體靜態(tài)參數(shù)測試解決方案還支持交互式手動操作或結(jié)合探針臺的自動操作,,能夠在整個表征過程中實現(xiàn)**和可重復的器件表征。同時,,該方案還可與高低溫箱,、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測試需求,。從pA*,、mV*高精度源表到kA*、10kV源表,,普賽斯的產(chǎn)品解決了國內(nèi)企業(yè)在半導體芯片以及第三代半導體芯片測試中的儀表國產(chǎn)化問題,,并在客戶IGBT產(chǎn)線上推出了多條測試示范線,**了國內(nèi)IGBT測試的技術潮流,。功率半導體參數(shù)測試儀就找普賽斯儀表,,詳詢18140663476


產(chǎn)品特點

 高電壓、大電流

 具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(**可擴展至10kV)


 具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))


 高精度測量


  nA*漏電流, μΩ*導通電阻


  0.1%精度測量


  模塊化配置


  可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預留升*空間,后期可添加或升*測量單元


  測試效率高


  內(nèi)置專用開關矩陣,根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元


  支持國標全指標的一鍵測試


  擴展性好


  支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具


測試項目

集電極-發(fā)射極電壓Vces,,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces,、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges,、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容,、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,,C-V特性曲線掃描等



 
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